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| Physikalische Größe | |||
|---|---|---|---|
| Name | elektrische Leitfähigkeit | ||
| Größenart | Tensor | ||
| Formelzeichen der Größe | σ | ||
| Größen- und Einheitensystem |
Einheit | Dimension | |
| SI |
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||
| Siehe auch: spezifischer Widerstand, elektrischer Leitwert | |||
Die elektrische Leitfähigkeit (Formelzeichen σ (griech. sigma), manchmal auch κ oder γ) ist eine physikalische Größe, die die Fähigkeit eines Stoffes angibt, elektrischen Strom zu leiten, d.h. in seinem Inneren die Bewegung von Ladungsträgern zu ermöglichen. Sie ist definiert als die Proportionalitätskonstante zwischen der Stromdichte
und der elektrischen Feldstärke
in der allgemeinen Form des ohmschen Gesetzes:

Im speziellen Fall eines homogenen (ortsunabhängigen), isotropen (richtungsunabhängigen) und linearen (feldgrößenunabhängigen) Mediums ist die elektrische Leitfähigkeit nur ein Skalar. Man nennt Skalare auch Tensoren 0. Stufe. Nur in diesem speziellen Fall erfolgt daher die Stromleitung im Leiter proportional und in gleicher Richtung wie das die Stromleitung verursachende elektrische Feld.
Im allgemeinen Fall, wenn eine der obigen Bedingungen nicht zutrifft, ist die elektrische Leitfähigkeit ein Tensor 2. Stufe (Dyade), also durch eine quadratische Matrix repräsentiert, welche die entsprechenden Abhängigkeiten repräsentiert.
Es ist zu beachten, dass diese Gleichung – sie zählt zu den drei fundamentalen Materialgleichungen – sich nicht aus den maxwellschen Gleichungen ableiten lässt. Die Maxwellschen Gleichungen mit den Kontinuitätsgesetzen und den Materialgleichungen stellen gemeinsam das Fundament der nicht relativistischen elektrodynamischen Feldtheorie dar.
Der Leitwert ist der Kehrwert des Widerstandes. Der Leitwert eines normiert dimensionierten Stückes eines leitfähigen Materials ist folglich der Kehrwert des spezifischen Widerstands ρ (griech. rho) und wird als dessen spezifischer Leitwert σ bezeichnet (Leitfähigkeit = spezifischer Leitwert). Beide sind über die Formel

verknüpft.
Das Formelzeichen für die elektrische Leitfähigkeit ist der griechische Buchstabe σ (sigma). Weitere häufig verwendete Formelzeichen für die elektrische Leitfähigkeit sind κ (kappa) und γ (gamma).
Die abgeleitete SI-Einheit der elektrischen Leitfähigkeit ist S/m (Siemens pro Meter). Sehr gebräuchlich sind zudem S/cm, m/Ω·mm² und S·m/mm², wobei die Zusammenhänge 1 S/cm = 100 S/m und 1 m/Ω·mm² = S·m/mm² = 106 S/m gelten. Eine weitere besonders in den USA gebräuchliche Einheit ist % IACS. Hier wird die Leitfähigkeit als Prozentwert der Leitfähigkeit reinen geglühten Kupfers ausgedrückt (sogenannter International Annealed Copper Standard). 100 % IACS entsprechen 58 MS/m.
In der Dünnschichttechnik wird die elektrische Leitfähigkeit oft als Ω/
, (sprich Ohm pro square) in Abhängigkeit von der Schichtdicke d angegeben:
.
Das Formelzeichen ρ ist der spezifische Widerstand.
Ein veraltetes Messgerät zur Messung der elektrischen Leitfähigkeit stammt von Jean-Jacques Rousseau und heißt Diagometer.
Nach der elektrischen Leitfähigkeit unterteilt man Stoffe in
Die molare Leitfähigkeit Λm ist die spezifische Leitfähigkeit eines Elektrolyten, bezogen auf seine Konzentration c. Sie lässt sich aus der spezifischen Leitfähigkeit κ berechnen:
.Da hier die Leitfähigkeit der Lösung auf die Zahl der Ladungsträger pro Volumen normiert wird und diese linear mit der Konzentration ansteigt, würde man zunächst erwarten, dass die molare Leitfähigkeit eines Elektrolyten eine konzentrationsunabhängige Konstante ist. Tatsächlich nimmt aber die molare Leitfähigkeit aus verschiedenen Gründen, z. B. infolge einer Zunahme der elektrolytischen Dissoziation oder einer Abnahme der elektrischen Kräfte zwischen den Ionen, mit abnehmender Konzentration zu und nähert sich einem Grenzwert, der so genannten Grenzleitfähigkeit
.
Eine empirische Beziehung der Konzentrationsabhängigkeit der molaren Leitfähigkeit starker Elektrolyte ist das nach Friedrich Wilhelm Kohlrausch benannte Kohlrauschsche Quadratwurzelgesetz, das später durch die Debye-Hückel-Theorie (Peter Debye, Erich Hückel, Lars Onsager) gestützt wurde:
.Der Wert von K hängt dabei von der Identität und der Stöchiometrie des Elektrolyten ab.
Die Leitfähigkeit eines Stoffes oder Stoffgemisches hängt von der Verfügbarkeit von beweglichen Ladungsträgern ab. Dies können locker gebundene Elektronen, wie beispielsweise in Metallen, aber auch in organischen Molekülen mit delokalisierten Elektronen (die häufig durch mesomere Grenzstrukturen beschrieben werden) oder Ionen sein.
Wässrige Lösungen zeichnen sich durch eine geringe Leitfähigkeit aus. Sie steigt, wenn dem Wasser Ionen, also Salze, Säuren oder Basen hinzugefügt werden. Dementsprechend hat Meerwasser eine höhere elektrische Leitfähigkeit als Süßwasser. Reines Wasser (destilliertes oder demineralisiertes) hat eine äußerst geringe Leitfähigkeit.
In Halbleitern nutzt man gezielte Verunreinigungen, um die Leitfähigkeit zu beeinflussen (Dotierung). Durch Elektronendonatoren werden sie n-dotiert, durch Elemente, die weniger Elektronen als das Trägermetall haben, p-dotiert. Durch die p-Dotierung entstehen Elektronenfehlstellen, auch Löcher genannt, die die Leitfähigkeit ebenso erhöhen wie überzählige Elektronen in n-dotierten Halbleitern.
Ein Modell zur Veranschaulichung und Erklärung der Leitfähigkeit eines Kristalls ist durch das Bändermodell gegeben.
1900 formulierte Paul Drude ein nach ihm benanntes Modell, wonach der elektrische Widerstand durch Kollision der Leitungselektronen mit den als starr angenommenen Atomrümpfen des Metalls verursacht wird. Danach ist die Leitfähigkeit
.Hier ist n die Elektronenkonzentration, e die Ladung und m die Masse eines Elektrons und τ die mittlere Flugzeit des Elektrons zwischen zwei Stößen. Diese Modell veranschaulicht die elektrische Leitfähigkeit zwar recht gut, sagt aber manche experimentellen Ergebnisse schlicht falsch voraus. Ein Beispiel wäre die Tatsache, dass reine Metalle besser leiten als mit Fremdatomen verunreinigte. Heute nimmt man daher an, dass der elektrische Widerstand zum einen durch die Streuung der Elektronen an den schwingenden Atomrümpfen (den Phononen) und zum anderen durch Streuung der Elektronen an Störstellen (Fremdatome, Fehlstellen, etc.) im Kristall verursacht wird. Letztere ist temperaturunabhängig und wird auch als Restwiderstand bezeichnet. Wohingegen die Elektron-Phonon-Streuung proportional zur Temperatur ist. Für den spezifischen, elektrischen Widerstand ergibt sich also:

Wenn man in einem allgemeinen Festkörper die Beweglichkeit μ der Ladungsträger berücksichtigt, ergibt sich:
wobei n = Ladungsträgerdichte (Anzahl je Volumeneinheit).Damit lassen sich gut die Temperaturabhängigkeiten der Leitfähigkeit erklären:
. Also sinkt auch die Leitfähigkeit.| Metalle | Spezifische Leitfähigkeit (in 106 S/m) |
|---|---|
| Silber | 61,7 (höchste elektrische Leitfähigkeit aller Metalle) |
| Kupfer | (bei 99,9 %Cu, bei 99,99 % Cu [1]) |
| Gold | 47,6 |
| Aluminium | 37,88 |
| Wolfram | 18,2 |
| Platin | 10,2 |
| Eisen | 10,0 |
| Blei | 4,8 |
| Halbleiter | Spezifische Leitfähigkeit (in S/m) |
|---|---|
| Germanium | 1,45 |
| Silizium | 2,52 · 10-4 |
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